1: 名無しさん@涙目です。(庭) [IT] 2025/02/23(日) 15:40:44.03 ID:q/JH2hu60● BE:618719777-2BP(6000)
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https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2502/21/news101.html
フラッシュメモリ第10世代は332層で密度59%向上、キオクシアら
4.8Gb/秒と高速、低消費電力化も
キオクシアとSandiskは、4.8Gb/秒のNANDインタフェース速度やさらなる低消費電力化などを実現する3次元(3D)フラッシュメモリ技術を開発した。この技術を導入する第10世代品は、積層数332層で、平面方向の高密度化によってビット密度は59%向上するという。
2025年02月21日 09時30分 公開 永山準,EE Times Japan
続きはURLをご参照願います。
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2502/21/news101.html
フラッシュメモリ第10世代は332層で密度59%向上、キオクシアら
4.8Gb/秒と高速、低消費電力化も
キオクシアとSandiskは、4.8Gb/秒のNANDインタフェース速度やさらなる低消費電力化などを実現する3次元(3D)フラッシュメモリ技術を開発した。この技術を導入する第10世代品は、積層数332層で、平面方向の高密度化によってビット密度は59%向上するという。
2025年02月21日 09時30分 公開 永山準,EE Times Japan
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引用元: ・キオクシア 十世代332層のBiCS NANDフラッシュ素子を発表 [618719777]
https://hayabusa3.2ch.sc/test/read.cgi/news/1740292844/ 【キオクシアとSandisk、4.8Gb/秒と高速で低消費電力化の3次元フラッシュメモリ技術を開発】の続きを読む